一信号源与Guarding Pin

1电流源

利用额定电流(已知确定的电流)为信号源提供测试R，并量测R电压值，根据安培定理算出R，此方式以电阻量测最普遍。

2 电压源

用额定电压源(已知确定的电压)为信号源提供测试C或L，量测C或

电流值，此方式以应用在大电容、电感量测最普遍。

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3 Guarding Pin

电流源信号时：电流会在HI-PIN通过C1、R1分流，因此会提供G1、G2点隔离，此时，Vhi=VG1=VG2,因此，GUARD PIN位于HI-PIN串联点，即高点分枝点。

电压源信号时：为防止节点LO有外电流通过C1、R1流入，应加G1、G2点隔离，此时，Vlo=VG1=VG2，因此，GUARD PIN位于HO-PIN串联点，即低点分枝点。

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二电阻、电容、电感量测原理

1、电阻使用固定电流模式(mode0)，针对相应值提供相应电流，此电流由TCB提供，规格如下：

范围	电流
1-299.9Ω	5mA
300-2.99KΩ	500uA
3K -29.9KΩ	50uA
30K -299.9KΩ	5uA
300K-2.99MΩ	0.5uA
3M-40MΩ	0.1uA

 

2、不同阻抗的电容或电感，ICT本身会自动选择一个适当的频率AC电压源作为测试信号源，使用(mode0,mode1,mode2,mode3)以及所对应的测试，已知V，f，量测I，可由公式求出C或L。

Debug mode	Signal source	Capacitor	(Inductor)
0	1KHZ	400PF-30UF	6mH-60H
1	10KHZ	40PF-4UF	600mH以下
2	100KHZ	1PF-40UF	6mH以下
3	1MHZ	1PF-300PF	1uH-60uH

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3、             交流相位(AC phase)测试模式(mode3,mode4,mode5)

提供AC电压源，利用相位角度的领先、落后方式而得知被测电阻值。

Signal	Range(L)	Range(R)
1KHZ	600mH-60H	5Ω-300KΩ
10KHZ	60mH-600mH	5Ω-40KΩ
100KHZ	6mH-60mH	5Ω-4KΩ

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4、低固定电流源(Low constant current)模式(mode1)

    该测试方法和固定电流源模式一样，只是提供的电流大小会低一个数量级，在被测电阻于电路上若有并联二极管或是IC Clamping diode，对于电阻两端测量电压值若超过0.5V-0.7V时，因为二极管导电的关系，该电阻两端电压将被维持在0.5V-0.7V左右，只要将原先的电流源降低一级即可。

Range	Current
1-299.9Ω	500uA
300-2.99KΩ	50uA
3K-29.9KΩ	5uA
30K-299KΩ	0.5uA
300K-2.99MΩ	0.1uA

当V>0.7V时，D会导通，形成分流。

例如：测2K的电阻时，使用 mode0：2K*0.5mA=1V>0.7V,

此时，应选mode1：2K*0.05mA=0.1V<0.7V。$Page_Split$

 

5、快速(High-Speed)测试模式(mode2)

    被测电阻并联0.3MF以上电容时，用固定电流源测试时，让电容充电均和，需要花费很长的时间，特别是电阻本身值很大时，测试电流更小，所用时间会更长，解决办法可以将固定DC电流源改为0.2VDC固定电压源，直接接于被测电阻两端，如此短暂霎时间内使其Ic=0，时，V=Ir*R=>R=V/Ir

 

6、DC固定电流(DC constanr Current)测试模式(mode4)

    3UF以上电容值的电容，若使用AC电压模式测试时，将要较低频率来测试，而增加ICT测试时间，故可利用电容充电曲线的斜率方式得知电容值。

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7、齐纳二极管(zener Diode)测试原理(mode0,mode1)

    齐纳二极管的测试和二极管的测试一样，都是TCB提供电压源，再由DC从两端量回电压，其差异只在电压源不同，其电压源：

a.0-10V /20mA可程序电压源

b.0-10V /3mA可程序电压源

    由Vx两端量负载电压，齐纳二极管反向量测，二极管正矢量测。

 

8、晶体管测试原理

晶体管测试需要三步骤：

a.B-E脚使用二极管测试方式

b.C-E脚使用二极管测试方式

c.E-C脚使用Vcc的饱和电压值及截止电压值的不同，来测试晶体管是否反件，需从a.b两步判断出晶体管属NPN或PNP型，Guard点为B脚，Mode选择NPN或PNP，并测量出E-C脚正向饱和电压值0.2V左右。

元件名称	高点	低点	隔点	信号	测试
Q-B-E	B	E		0	D
Q-B-C	B	C		0	D
Q-C-E	C	E	B	4	Q