期相变化内存(pcmorpram)市场战况火热，继三星电子(samsungelectronics)

　　宣布将相变化内存用在智能型手机(smartphone)用的mcp(multi-chippackage)芯片问世后，恒忆(numonyx)也宣布推出针对pc、消费性电子和通讯市场使用的相变化内存新品牌omneo，采用90奈米制程，容量达128mb，随着国际大厂接连发动攻势，让原本冷门的相变化内存市场一夕之间热了起来!

　　全球相变化内存分为3大阵营，包括恒忆/英特尔(intel)、三星、旺宏/ibm，三星日前推出主攻智能型手机mcp应用的pram，以及恒忆的pcm产品等，虽然pram、pcm等产品的名称相异，但属于相变化内存技术。

　　相较于三星宣布相变化内存新产品在初期要瞄准手机mcp市场，恒忆则是成立全新的品牌omneo，特别为需要量身订做的客户来服务，应用范围不局限于手机，包含有线及无线通信、消费电子产品、pc和嵌入式应用产品等。

　　恒忆不但看好相变化内存是1988年闪存问世以来，下一代接棒的新内存明日之星，也认为这次推出的新pcm产品可较现有的闪存写入速度快300倍，并可同时支持序列式闪存(serialnorflash)和并列式闪存(pa!rallelnorflash)界面。

　　恒忆的第1款pcm产品是在2008年12月推出，支持10万次的耐写次数，这次推出的第2款新产品是采用90奈米制程生产，容量可达128mb，耐写次数更提高到100万次，目前恒忆的omneo品牌产品已大量供货。

　　恒忆副总裁暨嵌入式业务部总经理glenhawk则表示，目前设计工程师必须使用不同类型的内存以进行编码储存、执行以及数据储存应用，新pcm产品可让设计过程更简单化。

　　相变化内存是现在各种下世代内存中，最被看好的一种，同时也因英特尔、三星等大厂力推，2010年开始逐渐导入终端应用，此款内存的材料是锗硒锑gst，兼具dram和nandflash内存的优缺点，虽然2010年开始用于终端市场，但稳定=仍需进一步观察。

　　此外，美光(micron)正式完成与恒忆的购并程序后，也顺势加入下世代内存技术大战，在美光获得相变化内存技术后，可增加美光在消费性电子、手机等应用上内存的研发实力。